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化合积电申请金刚石单晶硅复合立体基板相关专利极大改善对 GPU 等高发热率器件的散热性能
作者：小编 日期：2024-11-04 点击数：
金融界 2024 年 11 月 4 日消息，国家知识产权局信息显示，化合积电（厦门）半导体科技有限公司申请一项名为“金刚石/单晶硅复合立体基板、其制备方法与应用”的专利，公开号 CN 118524 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种金刚石/单晶硅复合立体基板、其制备方法与应用。所述金刚石/单晶硅复合立体基板包括单晶硅基底和设置在单晶硅基底上的金刚石层，所述金刚石层远离所述单晶硅基底的一侧表面上形成有微纳结构，所述微纳结构包括间隔分布的多个凸起部。本发明所提供的金刚石/单晶硅复合立体基板通过结合金刚石层和单晶硅基底形成复合立体基板，金刚石层用于实现高效率散热，单晶硅基底用于制备硅基器件，并且在金刚石层的表面设置了多个凸起部形成的微纳结构，进一步提高散热效率，从而极大地改善了对 GPU 等高发热率器件的散热性能，提高了器件的运算性能和寿命，降低了单位算力的成本。
